壓力傳感器有很多形式，每種結構形式的過(guò)載保護設計方法也是各不相同的，眾多方法都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，采用MEMS 技術(shù)的小量程、高靈敏壓力傳感器通常有平膜、島膜、梁膜等結構，在設計過(guò)載保護時(shí)，一般采用凸臺等方法實(shí)現，形成方法有背部刻蝕技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)、玻璃刻蝕技術(shù)等。然而這些結構一般都有一個(gè)很大的局限性就是腔體尺寸較大，進(jìn)一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工藝的復雜度，提高了生產(chǎn)成本。

　目前壓力傳感器小量程、高靈敏的研究熱點(diǎn)集中在犧牲層結構，這主要是因為犧牲層結構壓力傳感器彈性膜片很薄，厚度可做到2 μm，甚至更薄。

　在這樣薄的結構上，如果采用擴散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結構壓力傳感器的應變電阻，其厚度相對較大，對彈性膜片應力分布影響很大，不利于犧牲層結構壓力傳感器的性能優(yōu)化，因此采用多晶硅納米薄膜制作應變電阻更能發(fā)揮犧牲層技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。

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